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现在半导体圈最扎手的事莫过于摩尔定律即将完结，h9tq17abjtmcur研讨人员不得不寻觅硅资料的替代者来提高半导体的功能，而碳纳米管就被认为是最有也许替代硅的资料之一。
近来，美国威斯康星大学麦迪逊分校已经在这一资料的研发上取得了跨越式的打破，该校的资料学家成功研发了1英寸大小碳纳米晶体管，并且初次在功能上一起逾越了硅晶体管和砷化镓晶体管。
望文生义，碳纳米晶体管是由碳纳米管作为沟道导电资料制作而成的晶体管，h9tq17abjtmcur其管壁只要一个原子厚，这种资料不只导电功能好，而且体积能做到比现在的硅晶体管小100倍。别的，碳纳米晶体管的超小空间使得它能够快速改动流经它的电流方向，因此能到达5倍于硅晶体管的速度或能耗只要硅晶体管的1/5。
不过由于技能的瓶颈，h9tq17abjtmcur曩昔很长一段时间研讨人员都没能研发出功能优于硅晶体管和砷化镓晶体管的碳纳米晶体管，更不必奢求其应用在各类电子设备中。
据了解，按照传统的做法，h9tq17abjtmcur碳纳米管内通常会稠浊一些金属纳米管，可是这些金属纳米管会形成电子设备短路，然后损坏碳纳米管的导电功能。威斯康星大学麦迪逊分校的研讨人员这次另辟蹊径，他们使用聚合物替代了几乎一切的金属纳米管，将金属纳米管的含量降到0.01%以下，这样的做法大大提高了导电功能。
除此之外，该研讨团队还在技术上做出了改进，他们研发出的溶解办法成功移除碳纳米管制作过程中产生的残渣。
威斯康星大学麦迪逊分校资料工程学教授迈克·阿诺德表明：“咱们的研讨一起克服了碳纳米管面对的多重妨碍，终究获得了功能首超硅晶体管的1英寸碳纳米晶体管。碳纳米管的很多想象仍有待完成，h9tq17abjtmcur但咱们总算在二十年后完成了赶超。”
那么疑问来了，石墨烯和碳纳米管谁会变成下一代半导体资料？
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